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      砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列  

       砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列
      PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
       西南東北華中 Tina
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       tina@microphotons.com
       華東西北 Daisy Lee
      18602170419 同微信 可掃碼
       daisy@microphotons.com
      產品型號 1
      貨號 操作 名稱
      E80040159  砷化銦 InAs 光浸式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2-5.5um   [PDF] 響應波長范圍:2-5.5μm;峰值波長:2.9μm;相對響應強度:≥5×10^11 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積:1×1mm^2;有源元件材料:外延InAs異質結構    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
      總覽

      PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

      產品特點

      ● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

      ● 采用兩級TE冷卻有效提高探測效率

      ● 可配專用前置放大器

      ● 高溫度穩定性與機械耐久性

      ● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒,提升探測器的性能


      產品應用

      ● 醫學熱成像

      ● 紅外光譜分析

      ● 中紅外氣體吸收檢測

      ● 中紅外激光探測


      通用參數


      參數

      探測器型號

      PVIA-2TE-3

      PVIA-2TE-5

      有源元件材料

      外延InAs異質結構

      外延InAsSb異質結構

      起始波長λcut-on (10%), μm

      2.1±0.2

      2.4±0.2

      峰值波長λpeak(μm)

      2.9±0.3

      4.7±0.3

      截止波長λcut-off (10%), μm

      3.4±0.2

      5.5±0.2

      相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

      ≥5×1011

      ≥4×1010

      電流響應度Ri(λpeak),A/W

      ≥1.3

      ≥1.5

      時間常數T,ns

      ≤15

      ≤5

      電阻R,Ω

      ≥200K

      ≥1K

      元件工作溫度Tdet,K

      ~230

      感光面尺寸A,mm×mm

      1×1

      封裝

      TO8

      接收角Φ

      ~36°

      窗口

      wAl2O3


      探測器光譜響應特性曲線



      PVIA-2TE1.jpeg

      熱敏電阻特性曲線

      PV-2TE1.jpeg



      兩級TE冷卻參數表


      參量

      數值

      Tdet , K

      ~230

      Vmax , V

      1.3

      Imax , A

      1.2

      Qmax , W

      0.36


      抗反射涂層窗口光譜透過率曲線



      5.png



      封裝及尺寸

      TO8型封裝外形尺寸圖

      23.jpg

      參量

      數值

      浸沒微型透鏡形狀

      超半球形

      光學區域面積AO;mm×mm

      1×1

      R,mm

      0.8

      A,mm

      3.2±0.30

      備注:

      ?—接收角度;

      R—超半球微型透鏡半徑

      A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離



      2TE-TO8引腳定義

      功能

      PIN號

      探測器

      1,3

      反向偏壓(可選)

      1(-),3(+)

      熱敏電阻

      7,9

      TE冷卻器供應

      2(+),8(-)

      底板接地

      11

      未使用

      4,5,6,10,12











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