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      銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長  

      銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長
      筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
       華東西北 Daisy Lee
      18602170419 同微信 可掃碼
       daisy@microphotons.com
       西南東北華中 Tina
      13124873453 同微信 可掃碼
       tina@microphotons.com
      產品型號 1
      貨號 操作 名稱
      E80042060  銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)   [PDF] 光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin腳    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
      總覽

      筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

      我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

      為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


      產品特點

      ● 10mm超大光敏面

      ● 900nm to 1700nm 光譜響應

      ● 高線性 > 10 dBm

      ● —正照平面型芯片結構 

      ● 光敏面積大、低暗電流


      產品應用

      ● 激光功率計

      ● LED/LD老化診斷

      ● 光譜學

      ● LED/LD特性

      ● 眼睛安全激光檢測傳感器

      通用參數

      技術參數

      特性參數

      符號

      測試條件

      最小

      典型

      最大

      單位

      光譜響應范圍

      λ

      900~1700

      nm

      光敏面直徑

      φ

      10

      mm

      響應度

       

      Re

      VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

      0.85

      A/W

      VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

      0.95

      響應時間

      tS

      VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

      8

      20

      μs

      總電容

      C

      VR=5V,f=1KHz

      3

      10

      nF

      暗電流

      ID

      VR=5V,φe=0

      25

      100

      nA

      分流阻抗

      Rsh

      VR=10mV

      10


      光譜響應曲線

      tu1.png

      封裝及尺寸

      tu2.png

      極限值

      參數名稱

      符號

      額定值

      單位

      工作溫度

      TC

      -40~+85

      貯存溫度

      TSTG

      -55~+125

      正向電流

      IF

      10

      mA

      反向電流

      IR

      5

      mA

      焊接溫度(時間)

      St

      260℃(10s)

      -











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